電路設(shè)計要求
(1)TOPSwitch-II的反饋電路中需配光電耦合器與輸出電路隔離。設(shè)計精密開關(guān)電源時，還應(yīng)增加一片TL431型可調(diào)式精密關(guān)聯(lián)穩(wěn)壓器，由它構(gòu)成外部誤差放大器，來代替取樣電路中的穩(wěn)壓管。精密開關(guān)電源的電壓調(diào)整率Sv、電流調(diào)整率Sl均可達(dá)±0.2%左右，接近于線性集成穩(wěn)壓電源的指標(biāo)。
(2)應(yīng)選用電流傳輸比（CTR）能線性變化的光電耦合器，如PC817A，NEC2501、6N137等型號，不推薦采用4N25、4N35等4N××型普通光耦。后者的線性度差，傳輸模擬信號時會造成失真，影響開關(guān)電源的穩(wěn)壓性能。
(3)高頻變壓器的初級必須設(shè)置保護(hù)電路，用以吸收漏感引起的尖峰電壓，確保MOSFET不被損壞。這種保護(hù)電路應(yīng)并聯(lián)在初級上，具體有4種設(shè)計方案：
①由瞬變電壓抑制二極管（TVS）和超快恢復(fù)二極管（SRD）組成鉗位電路；
②由TVS與硅整流管（VD）構(gòu)成的鉗位電路；
③由阻容元件與SRD構(gòu)成的吸收電路；
④由阻容件與VD構(gòu)成的吸收電路。上述方案中以①的效果最佳，能充分發(fā)揮TVS響應(yīng)速度極快、可承受高能量瞬態(tài)脈沖之優(yōu)點。方案②次之。
(4)使用芯片時需加合適的散熱器。對于TO-220封裝，可直接裝在小散板上。對于DIP-8和SMD-8封裝的可將4個源極焊在面積為2.3的印制板敷銅箔上代替散熱片。
(5) 為抑制從電網(wǎng)引入的干擾，也防止開關(guān)電源產(chǎn)生的干擾向外部傳輸，需在電源進(jìn)線端增加一級電磁干擾濾波器（EMI Filter）亦稱電源噪聲濾波器（PNF）。
(6)使用此類芯片時，源極引線要盡量短。為使空載或輕載時輸出電壓穩(wěn)定，應(yīng)在穩(wěn)壓電源輸出端接一只幾百歐的電阻作為最小負(fù)載，亦可并聯(lián)一只穩(wěn)壓管。
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